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IS42VM32400E-10BLI PDF预览

IS42VM32400E-10BLI

更新时间： 2024-11-14 08:08:03
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 436K
描述
Synchronous DRAM, 4MX32, 8ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90

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IS42VM32400E-10BLI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DSBGA
包装说明：TFBGA, BGA90,9X15,32针数：90
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.82
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：8 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：100 MHz
I/O 类型：COMMON交错的突发长度：1,2,4,8
JESD-30 代码：R-PBGA-B90JESD-609代码：e1
长度：13 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：32
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：1端子数量：90
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX32
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA90,9X15,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
连续突发长度：1,2,4,8,FP最大待机电流：0.000015 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：8 mm

IS42VM32400E-10BLI 数据手册

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IS42VM81600E / IS42VM16800E / IS42VM32400E  
IS45VM81600E / IS45VM16800E / IS45VM32400E  
16Mx8, 8Mx16, 4Mx32  
128Mb Mobile Synchronous DRAM  
JUNE 2011  
DESCRIPTION  
FEATURES  
ISSI'sꢀ128MbꢀMobileꢀSynchronousꢀDRAMꢀachievesꢀhigh-  
speedꢀdataꢀtransferꢀusingꢀpipelineꢀarchitecture.ꢀAllꢀinputꢀ  
andꢀoutputꢀsignalsꢀreferꢀtoꢀtheꢀrisingꢀedgeꢀofꢀtheꢀclockꢀ  
input.ꢀBothꢀwriteꢀandꢀreadꢀaccessesꢀtoꢀtheꢀSDRAMꢀareꢀ  
burstꢀoriented.ꢀTheꢀ128MbꢀMobileꢀSynchronousꢀDRAMꢀ  
isꢀdesignedꢀtoꢀminimizeꢀcurrentꢀconsumptionꢀmakingꢀitꢀ  
idealꢀforꢀlow-powerꢀapplications.ꢀꢀꢀBothꢀTSOPꢀandꢀBGAꢀ  
packagesꢀareꢀoffered,ꢀincludingꢀindustrialꢀgradeꢀproducts.  
•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ  
positiveꢀclockꢀedge  
•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccessꢀandꢀpre-  
charge  
•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatency:ꢀ2,ꢀ3  
•ꢀ ProgrammableꢀBurstꢀLength:ꢀ1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀandꢀFullꢀ  
Page  
•ꢀ ProgrammableꢀBurstꢀSequence:  
•ꢀ SequentialꢀandꢀInterleave  
•ꢀ AutoꢀRefreshꢀ(CBR)  
KEY TIMING PARAMETERS  
Parameter  
-75  
-10  
Unit  
•ꢀ TCSRꢀ(TemperatureꢀCompensatedꢀSelfꢀRefresh)ꢀ  
CLKꢀCycleꢀTime  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2  
CLKꢀFrequency  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2  
AccessꢀTimeꢀfromꢀCLK  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2  
•ꢀ PASRꢀ(PartialꢀArraysꢀSelfꢀRefresh):ꢀ1/16,ꢀ1/8,ꢀ  
1/4,ꢀ1/2,ꢀandꢀFullꢀ  
•ꢀ DeepꢀPowerꢀDownꢀModeꢀ(DPD)  
7.5  
9.6  
10  
12  
ns  
ns  
•ꢀ DriverꢀStrengthꢀControlꢀ(DS):ꢀ1/4,ꢀ1/2,ꢀandꢀFull  
133  
104  
100  
83  
Mhz  
Mhz  
OPTIONS  
•ꢀ Configurations:ꢀ16Mꢀxꢀ8,ꢀ8Mꢀxꢀ16,ꢀ4Mꢀxꢀ32ꢀꢀ  
•ꢀ PowerꢀSupplyꢀꢀ  
IS42VMxxxꢀ–ꢀVdd/Vddqꢀ=ꢀ1.8ꢀVꢀ  
•ꢀ Packages:ꢀ  
5.4  
8.0  
8.0  
9.0  
ns  
ns  
x8ꢀ/ꢀx16ꢀ–TSOPꢀIIꢀ(54),ꢀBGAꢀ(54)ꢀ[x16ꢀonly]ꢀ  
x32ꢀ–ꢀTSOPꢀIIꢀ(86),ꢀꢀBGAꢀ(90)  
•ꢀ TemperatureꢀRange:ꢀꢀ  
Commercialꢀ(0°Cꢀtoꢀ+70°C)ꢀꢀ  
Industrialꢀ(–40ꢀºCꢀtoꢀ85ꢀºC)  
ꢀꢀꢀꢀAutomotive,ꢀA1ꢀ(–40ꢀºCꢀtoꢀ85ꢀºC)  
ꢀꢀꢀꢀAutomotive,ꢀA2ꢀ(–40ꢀºCꢀtoꢀ105ꢀºC)  
ADDRESSING TABLE  
Parameter  
16M x 8  
8M x 16  
4M x 32  
Configuration  
RefreshꢀCount  
RowꢀꢀAddressing  
ColumnꢀAddressing  
BankꢀAddressing  
PrechargeꢀAddressing  
4Mꢀxꢀ8ꢀxꢀ4ꢀbanks  
4K/64ms  
A0-A11  
2Mꢀxꢀ16ꢀxꢀ4ꢀbanks  
4K/64ms  
A0-A11  
1Mꢀxꢀ32ꢀxꢀ4ꢀbanks  
4K/64ms  
A0-A11  
A0-A9  
BA0,ꢀBA1  
A10  
A0-A8  
BA0,ꢀBA1  
A10  
A0-A7  
BA0,ꢀBA1  
A10  
Copyrightꢀ©ꢀ2011ꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀꢀAllꢀrightsꢀreserved.ꢀꢀISSIꢀreservesꢀtheꢀrightꢀtoꢀmakeꢀchangesꢀtoꢀthisꢀspecificationꢀandꢀitsꢀproductsꢀatꢀanyꢀtimeꢀwith-  
outꢀnotice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀliabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀ  
theꢀlatestꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspecificationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀanyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.  
IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀ  
reasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsignificantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀap-  
plicationsꢀunlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:  
a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;  
b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand  
c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstances  
Integrated Silicon Solution, Inc. - www.issi.comꢀ  
1
Rev. A  
04/08/2011  
1234567...24

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与IS42VM32400E-10BLI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS42VM32400E-10TLI ISSI

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 		Synchronous DRAM, 4MX32, 8ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86
IS42VM32400F ISSI

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 		1M x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM
IS42VM32400F-75BLI ISSI

获取价格

 		1M x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM
IS42VM32400G ISSI

获取价格

 		All pins are compatible with LVCMOS interface
IS42VM32400G-6BLI ISSI

获取价格

 		IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
IS42VM32400G-6BLI-TR ISSI

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 		IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
IS42VM32400G-75BI ISSI

获取价格

 		1M x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM
IS42VM32400G-75BLI ISSI

获取价格

 		1M x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM
IS42VM32400G-75BLI-TR ISSI

获取价格

 		IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
IS42VM32400H-6BLI ISSI

获取价格

 		1M x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

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