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IS42S16800-75EBL

更新时间： 2024-11-09 18:52:07

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
61页	814K
描述
Synchronous DRAM, 8MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-54

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IS42S16800-75EBL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.51
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	JESD-609代码：	e1
长度：	8 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA54,9X9,32	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.16 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

IS42S16800-75EBL 数据手册

IS42S81600

IS42S16800

16M x 8, 8M x16

MARCH 2009

128Mb SYNCHRONOUS DRAM

OVERVIEW

FEATURES

ISSI'sꢀ128MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀꢀachievesꢀhigh-speedꢀ

data transfer using pipeline architecture. All inputs and

outputs signals refer to the rising edge of the clock input.

Theꢀ128MbꢀSDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀfollows.ꢀ

•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ200,ꢀ166,ꢀ143,ꢀ133ꢀMHz

•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ

positive clock edge

•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge

•ꢀ Powerꢀsupply

V^{d d}

Vd d q

IS42S81600ꢀ

IS42S16800ꢀ

IS42S81600ꢀ

ꢀ IS42S16800ꢀ

•ꢀ LVTTLꢀinterface

ꢀ3.3Vꢀ 3.3Vꢀꢀ

4Mꢀx8ꢀx4ꢀBanksꢀ 2Mꢀx16ꢀx4ꢀBanksꢀ

ꢀ3.3Vꢀ 3.3Vꢀꢀ

54-pinꢀTSOPIIꢀ

54-pinꢀTSOPII

54-ballꢀBGA

ꢀ

•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀ

–ꢀ(1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀfullꢀpage)

•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀ

Sequential/Interleaveꢀ

•ꢀ AutoꢀRefreshꢀ(CBR)

KEY TIMING PARAMETERS

•ꢀ SelfꢀRefresh

Parameter

-5

-6

-7 -75E Unit

•ꢀ 4096ꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ64ꢀms

•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle

•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatencyꢀ(2,ꢀ3ꢀclocks)

ClkꢀCycleꢀTimeꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

5ꢀ

10ꢀ

ꢀ

6ꢀ

10ꢀ

ꢀ

7ꢀ

10ꢀ

—

7.5ꢀ

ClkꢀFrequencyꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

200ꢀ

100ꢀ

ꢀ

•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀ

166ꢀ

100ꢀ

143ꢀ

100ꢀ

—

133ꢀ

ꢀ

Mhzꢀ

Mhz

operations capability

•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ

AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀ

command

5.0ꢀ

6.5ꢀ

5.4ꢀ

6.5ꢀ

5.4ꢀ

6.5ꢀ

—

5.5ꢀ

•ꢀ IndustrialꢀꢀTemperatureꢀAvailability

•ꢀ Lead-freeꢀAvailability

out notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain

the latest version of this device speciﬁcation before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. A

03/03/09

12 3 4 5 6 7...61

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS42S16800-75EBLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-54
IS42S16800-75ETL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 MM INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
IS42S16800-75ETLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 MM INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
IS42S16800-7BL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-54
IS42S16800-7BLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-54
IS42S16800-7TL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 MM INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
IS42S16800-7TLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 MM INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
IS42S16800A	ISSI	获取价格	16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16800A	ICSI	获取价格	16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16800A1	ISSI	获取价格	8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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