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IS42S16400B1

更新时间： 2024-09-15 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI /
页数 文件大小 规格书
55页 466K
描述
1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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IS42S16400B1 数据手册

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®
IS42S16400B1  
ISSI  
1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT)  
SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM  
DECEMBER 2003  
FEATURES  
OVERVIEW  
ISSI's 64Mb Synchronous DRAM IS42S16400B1 is  
organized as 1,048,576 bits x 16-bit x 4-bank for improved  
performance.ThesynchronousDRAMsachievehigh-speed  
data transfer using pipeline architecture. All inputs and  
outputs signals refer to the rising edge of the clock input.  
• Clock frequency: 133 MHz  
• Fully synchronous; all signals referenced to a  
positive clock edge  
• Internal bank for hiding row access/precharge  
• Single 3.3V power supply  
• LVTTL interface  
PIN CONFIGURATIONS  
54-Pin TSOP (Type II)  
• Programmable burst length  
– (1, 2, 4, 8, full page)  
VDD  
DQ0  
VDDQ  
DQ1  
DQ2  
GNDQ  
DQ3  
DQ4  
VDDQ  
DQ5  
DQ6  
GNDQ  
DQ7  
VDD  
LDQM  
WE  
1
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
GND  
DQ15  
GNDQ  
DQ14  
DQ13  
VDDQ  
DQ12  
DQ11  
GNDQ  
DQ10  
DQ9  
VDDQ  
DQ8  
GND  
NC  
• Programmable burst sequence:  
Sequential/Interleave  
2
3
4
5
• Self refresh modes  
6
7
• 4096 refresh cycles every 64 ms  
• Random column address every clock cycle  
• Programmable CAS latency (2, 3 clocks)  
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
• Burst read/write and burst read/single write  
operations capability  
UDQM  
CLK  
CKE  
NC  
CAS  
RAS  
CS  
• Burst termination by burst stop and precharge  
command  
BA0  
BA1  
A10  
A11  
A9  
A8  
• Byte controlled by LDQM and UDQM  
• Package: 400-mil 54-pin TSOP II  
A0  
A7  
A1  
A6  
A2  
A5  
A3  
A4  
VDD  
GND  
PIN DESCRIPTIONS  
WE  
WriteEnable  
A0-A11  
BA0, BA1  
DQ0 to DQ15  
CLK  
Address Input  
LDQM  
UDQM  
VDD  
Lower Bye, Input/Output Mask  
Upper Bye, Input/Output Mask  
Power  
Bank Select Address  
Data I/O  
System Clock Input  
Clock Enable  
GND  
VDDQ  
GNDQ  
NC  
Ground  
CKE  
Power Supply for DQ Pin  
Ground for DQ Pin  
NoConnection  
CS  
Chip Select  
RAS  
RowAddressStrobeCommand  
ColumnAddressStrobeCommand  
CAS  
Copyright © 2003 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no  
liabilityarisingoutoftheapplicationoruseofanyinformation, productsorservicesdescribedherein. Customersareadvisedtoobtainthelatestversionofthisdevicespecificationbeforerelyingon  
anypublishedinformationandbeforeplacingordersforproducts.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
Rev. A  
1
12/09/03  
1234567...55

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS42S16400B-10T ISSI

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 		Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP2-54
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 		Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP2-54
IS42S16400B1-7T ISSI

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 		1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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 		暂无描述
IS42S16400B-7T ISSI

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IS42S16400B-7TI ISSI

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