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IS42S16400B-7TI

更新时间： 2024-11-06 04:44:43
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI /
页数 文件大小 规格书
55页 567K
描述
1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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IS42S16400B-7TI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：54Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.09访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：6 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：133 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：1,2,4,8JESD-30 代码：R-PDSO-G54
JESD-609代码：e0长度：22.22 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：1
端子数量：54字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：4MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP54,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES连续突发长度：1,2,4,8,FP
最大待机电流：0.002 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.145 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

IS42S16400B-7TI 数据手册

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IS42S16400B  
1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT)  
SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM  
MAY 2007  
FEATURES  
OVERVIEW  
ISSI's64MbSynchronousDRAMIS42S16400Bisorganized  
as 1,048,576 bits x 16-bit x 4-bank for improved  
performance.ThesynchronousDRAMsachievehigh-speed  
data transfer using pipeline architecture. All inputs and  
outputs signals refer to the rising edge of the clock input.  
• Clock frequency: 166, 143 MHz  
• Fully synchronous; all signals referenced to a  
positive clock edge  
• Internal bank for hiding row access/precharge  
• Single 3.3V power supply  
• LVTTL interface  
PIN CONFIGURATIONS  
54-Pin TSOP (Type II)  
• Programmable burst length  
– (1, 2, 4, 8, full page)  
VDD  
DQ0  
VDDQ  
DQ1  
DQ2  
GNDQ  
DQ3  
DQ4  
VDDQ  
DQ5  
DQ6  
GNDQ  
DQ7  
VDD  
LDQM  
WE  
1
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
GND  
DQ15  
GNDQ  
DQ14  
DQ13  
VDDQ  
DQ12  
DQ11  
GNDQ  
DQ10  
DQ9  
VDDQ  
DQ8  
GND  
NC  
• Programmable burst sequence:  
Sequential/Interleave  
2
3
4
5
• Self refresh modes  
6
7
• 4096 refresh cycles every 64 ms  
• Random column address every clock cycle  
• Programmable CAS latency (2, 3 clocks)  
• Burst read/write operations capability  
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
UDQM  
CLK  
CKE  
NC  
• Burst termination by burst stop and precharge  
command  
CAS  
RAS  
CS  
BA0  
BA1  
A10  
A11  
• Byte controlled by LDQM and UDQM  
• Industrial temperature availability  
• Package: 400-mil 54-pin TSOP II  
• Lead-free package is available  
A9  
A8  
A0  
A7  
A1  
A6  
A2  
A5  
A3  
A4  
VDD  
GND  
PIN DESCRIPTIONS  
WE  
WriteEnable  
A0-A11  
BA0, BA1  
DQ0 to DQ15  
CLK  
Address Input  
LDQM  
UDQM  
VDD  
Lower Bye, Input/Output Mask  
Upper Bye, Input/Output Mask  
Power  
Bank Select Address  
Data I/O  
System Clock Input  
Clock Enable  
GND  
VDDQ  
GNDQ  
NC  
Ground  
CKE  
Power Supply for DQ Pin  
Ground for DQ Pin  
NoConnection  
CS  
Chip Select  
RAS  
RowAddressStrobeCommand  
ColumnAddressStrobeCommand  
CAS  
Copyright © 2005 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no  
liabilityarisingoutoftheapplicationoruseofanyinformation, productsorservicesdescribedherein. Customersareadvisedtoobtainthelatestversionofthisdevicespecificationbeforerelyingon  
anypublishedinformationandbeforeplacingordersforproducts.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com  
1
Rev. F  
05/21/07  
1234567...55

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IS42S16400B-7TI 替代型号

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 		Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54
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