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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 70 ns | JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 8 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | PSEUDO STATIC RAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.2 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.75 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 6 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS31WV16100B-70M | ISSI |
获取价格 |
SRAM |
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| IS31WV16200-70B | ISSI |
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Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 9 MM, MINI, FBGA-48 |
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| IS31WV16200-70BI | ISSI |
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Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 9 MM, MINI, FBGA-48 |
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| IS31WV16200A-70B | ISSI |
获取价格 |
Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 |
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| IS31WV16200A-70BI | ISSI |
获取价格 |
Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 |
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| IS31WV16200A-70M | ISSI |
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SRAM |
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| IS31WV16200A-70MI | ISSI |
获取价格 |
SRAM |
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| IS31WV16200B-70B | ISSI |
获取价格 |
Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 |
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| IS31WV16200B-70BI | ISSI |
获取价格 |
Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 |
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| IS31WV16200B-70M | ISSI |
获取价格 |
SRAM |
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