是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | LFBGA, | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 70 ns | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 8 mm |
内存密度: | 33554432 bit | 内存集成电路类型: | PSEUDO STATIC RAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 48 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.35 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 6 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS31WV16200A-70B | ISSI |
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Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 | |
IS31WV16200A-70BI | ISSI |
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Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 | |
IS31WV16200A-70M | ISSI |
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SRAM | |
IS31WV16200A-70MI | ISSI |
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SRAM | |
IS31WV16200B-70B | ISSI |
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Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 | |
IS31WV16200B-70BI | ISSI |
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Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 | |
IS31WV16200B-70M | ISSI |
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SRAM | |
IS31WV16200B-70MI | ISSI |
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SRAM | |
IS32 | ETC |
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IS320 | ETC |
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