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IRS21091PBF

更新时间： 2024-11-18 11:56:59
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英飞凌 - INFINEON 驱动器
页数 文件大小 规格书
20页 758K
描述
HALF-BRIDGE DRIVER

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IRS21091PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：DIP, DIP8,.3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：5.55
内置保护：TRANSIENT; THERMAL接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PDIP-T8长度：9.88 mm
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
输出电流流向：SOURCE AND SINK封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP8,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：15 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.33 mm
子类别：MOSFET Drivers最大供电电压：20 V
最小供电电压：10 V标称供电电压：15 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED断开时间：0.28 µs
接通时间：0.95 µs宽度：7.62 mm

IRS21091PBF 数据手册

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Data Sheet No. PD60311  
IRS21091(S)PbF  
HALF-BRIDGE DRIVER  
Features  
Floating channel designed for bootstrap operation  
Fully operational to +600 V  
Tolerant to negative transient voltage, dV/dt  
immune  
Gate drive supply range from 10 V to 20 V  
Undervoltage lockout for both channels  
3.3 V, 5 V, and 15 V input logic compatible  
Cross-conduction prevention logic  
Matched propagation delay for both channels  
High-side output in phase with IN input  
Logic and power ground +/- 5 V offset  
Internal 500 ns deadtime, and programmable  
·
Product Summary  
·
·
V
600 V max.  
OFFSET  
·
·
I +/-  
O
120 mA / 250 mA  
10 V - 20 V  
·
V
OUT  
·
·
t
(typ.)  
750 ns & 200 ns  
540 ns  
on/off  
·
·
Deadtime  
·
up to 5 µs with one external R resistor  
DT  
Lower di/dt gate driver for better noise immunity  
The dual function DT/SD input turns off both  
channels  
·
·
Packages  
RoHS compliant  
·
Description  
The IRS21091 is a high voltage, high speed power  
MOSFET and IGBT driver with dependent high- and  
low-side referenced output channels. Proprietary  
HVIC and latch immune CMOS technologies enable  
ruggedized monolithic construction. The logic input is  
compatible with standard CMOS or LSTTL output,  
down to 3.3 V logic. The output drivers feature a  
high pulse current buffer stage designed for minimum  
8 Lead PDIP  
IRS21091  
8 Lead SOIC  
IRS21091S  
driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in  
the high-side configuration which operates up to 600 V.  
Typical Connection  
up to 600 V  
VCC  
VCC  
VB  
HO  
VS  
IN  
IN  
TO  
LOAD  
DT/SD  
DT/SD  
COM  
LO  
(Refer to Lead Assignments for  
correct configuration). These dia-  
grams show electrical connec-  
tions only. Please refer to our  
Application Notes and DesignTips  
for proper circuit board layout.  
www.irf.com  
1
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