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IRS2110-1PBF

更新时间： 2024-11-18 03:44:31

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英飞凌 - INFINEON		外围驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
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描述
HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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IRS2110-1PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DIP, DIP14,.3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.31	Is Samacsys：	N
内置保护：	TRANSIENT; UNDER VOLTAGE	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDIP-T13	JESD-609代码：	e3
长度：	19.305 mm	功能数量：	1
端子数量：	13	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	输出电流流向：	SOURCE AND SINK
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP14,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	250
电源：	15 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.33 mm	子类别：	MOSFET Drivers
最大供电电压：	20 V	最小供电电压：	10 V
标称供电电压：	15 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	断开时间：	0.15 µs
接通时间：	0.16 µs	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

IRS2110-1PBF 数据手册

Data Sheet No. PD60249 revB

PRELIMINARY

IRS2110(-1,-2,S)PbF

IRS2113(-1,-2,S)PbF

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Features

Product Summary

• Floating channel designed for bootstrap operation

• Fully operational to +500 V or +600 V

• Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune

• Gate drive supply range from 10 V to 20 V

• Undervoltage lockout for both channels

• 3.3 V logic compatible

(IRS2110)

500 V max.

600 V max.

OFFSET

(IRS2113)

O+/-

2 A/2 A

10 V - 20 V

OUT

• Separate logic supply range from 3.3 V to 20 V

• Logic and power ground 5V offset

(typ.)

130 ns & 120 ns

on/off

• CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down

• Cycle by cycle edge-triggered shutdown logic

• Matched propagation delay for both channels

• Outputs in phase with inputs

Delay Matching (IRS2110) 10 ns max.

(IRS2113) 20 ns max.

Packages

Description

The IRS2110/IRS2113 are high voltage, high speed

power MOSFET and IGBT drivers with independent

high and low side referenced output channels. Pro-

prietary HVIC and latch immune CMOS technologies

enable ruggedized monolithic construction. Logic in-

puts are compatible with standard CMOS or LSTTL

output, down to 3.3 V logic. The output drivers feature

a high pulse current buffer stage designed for mini-

mum driver cross-conduction. Propagation delays are

matched to simplify use in high frequency applications.

The floating channel can be used to drive an N-chan-

nel power MOSFET or IGBT in the high side configura-

tion which operates up to 500 V or 600 V.

16-Lead PDIP

14-Lead PDIP

(w/o leads 4 & 5)

IRS2110 and IRS2113

IRS2110-2 and IRS2113-2

16-Lead SOIC

14-Lead PDIP

IRS2110S and

(w/o lead 4)

IRS2113S

IRS2110-1 and IRS2113-1

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Typical Connection

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(Refer to Lead Assignments for correct pin configuration). This diagram shows electrical connec-

tions only. Please refer to our Application Notes and DesignTips for proper circuit board layout.

www.irf.com

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