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Datasheet > 驱动程序和接口 > 外围驱动器> IRS21091SPBF
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IRS21091SPBF

更新时间： 2024-11-18 11:56:59
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英飞凌 - INFINEON 外围驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 758K
描述
HALF-BRIDGE DRIVER

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IRS21091SPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, MS-012AA, SOIC-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：1.73
Is Samacsys：N内置保护：TRANSIENT; THERMAL
接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
湿度敏感等级：2功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C输出电流流向：SOURCE AND SINK
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：15 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm子类别：MOSFET Drivers
最大供电电压：20 V最小供电电压：10 V
标称供电电压：15 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED断开时间：0.28 µs
接通时间：0.95 µs宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

IRS21091SPBF 数据手册

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Data Sheet No. PD60311  
IRS21091(S)PbF  
HALF-BRIDGE DRIVER  
Features  
Floating channel designed for bootstrap operation  
Fully operational to +600 V  
Tolerant to negative transient voltage, dV/dt  
immune  
Gate drive supply range from 10 V to 20 V  
Undervoltage lockout for both channels  
3.3 V, 5 V, and 15 V input logic compatible  
Cross-conduction prevention logic  
Matched propagation delay for both channels  
High-side output in phase with IN input  
Logic and power ground +/- 5 V offset  
Internal 500 ns deadtime, and programmable  
·
Product Summary  
·
·
V
600 V max.  
OFFSET  
·
·
I +/-  
O
120 mA / 250 mA  
10 V - 20 V  
·
V
OUT  
·
·
t
(typ.)  
750 ns & 200 ns  
540 ns  
on/off  
·
·
Deadtime  
·
up to 5 µs with one external R resistor  
DT  
Lower di/dt gate driver for better noise immunity  
The dual function DT/SD input turns off both  
channels  
·
·
Packages  
RoHS compliant  
·
Description  
The IRS21091 is a high voltage, high speed power  
MOSFET and IGBT driver with dependent high- and  
low-side referenced output channels. Proprietary  
HVIC and latch immune CMOS technologies enable  
ruggedized monolithic construction. The logic input is  
compatible with standard CMOS or LSTTL output,  
down to 3.3 V logic. The output drivers feature a  
high pulse current buffer stage designed for minimum  
8 Lead PDIP  
IRS21091  
8 Lead SOIC  
IRS21091S  
driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in  
the high-side configuration which operates up to 600 V.  
Typical Connection  
up to 600 V  
VCC  
VCC  
VB  
HO  
VS  
IN  
IN  
TO  
LOAD  
DT/SD  
DT/SD  
COM  
LO  
(Refer to Lead Assignments for  
correct configuration). These dia-  
grams show electrical connec-  
tions only. Please refer to our  
Application Notes and DesignTips  
for proper circuit board layout.  
www.irf.com  
1
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