IRLD120PBF

更新时间： 2024-11-25 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
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描述
Power MOSFET

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IRLD120PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PDIP-T4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	0.76
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	400146	Samacsys Pin Count：	4
Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)	Samacsys Package Category：	Dual-In-Line Packages
Samacsys Footprint Name：	IRLD120PBF-1	Samacsys Released Date：	2019-02-26 03:44:57
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	690 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.3 A
最大漏极电流 (ID)：	1.3 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDIP-T4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRLD120PBF 数据手册

IRLD120, SiHLD120

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

100

Available

• Repetitive Avalanche Rated

• For Automatic Insertion

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 5.0 V

0.27

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

3.0

• End Stackable

_gs(nC)

_gd(nC)

• Logic-Level Gate Drive

7.1

• R_DS(on)Specified at V_GS= 4 V and 5 V

• 175 °C Operating Temperature

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

HEXDIP

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case

style which can be stacked in multiple combinations on

standard 0.1" pin centers. The dual drain serves as a thermal

link to the mounting surface for power dissipation levels up to

1 W.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

HEXDIP

IRLD120PbF

SiHLD120-E3

IRLD120

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHLD120

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

100

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

1.3

Continuous Drain Current

V_GSat 5.0 V

I_D

T_C=100°C

0.94

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.0083

690

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

1.3

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

0.13

1.3

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

5.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 175

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 153 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.6 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 9.2 A, dI/dt ≤ 110 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91310

S-Pending-Rev. A, 17-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRLD120	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

与IRLD120PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLF110	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| TO-205AF
IRLF120	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-39)
IRLF120PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLF120SCX	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLF130	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-205AF
IRLF230	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTOR
IRLF230PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLG5AB300X200X0.5	TDK	获取价格	Magnetic Sheets for RFID Flexield
IRLH5030	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil
IRLH5030PBF	INFINEON	获取价格	Secondary Side Synchronous Rectification

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