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IRL510L

更新时间： 2024-11-19 12:35:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 1032K
描述
Power MOSFET

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IRL510L 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.23Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：5.6 A最大漏源导通电阻：0.54 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRL510L 数据手册

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IRL510, SiHL510  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
100  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Logic-Level Gate Drive  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 5.0 V  
0.54  
RoHS*  
COMPLIANT  
Qg (Max.) (nC)  
6.1  
2.6  
• RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
3.3  
Configuration  
Single  
• Ease of Paralleling  
D
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
TO-220AB  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
The TO-220AB package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220AB contribute to its  
wide acceptance throughout the industry.  
G
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220AB  
IRL510PbF  
SiHL510-E3  
IRL510  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHL510  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
100  
V
VGS  
10  
T
C = 25 °C  
5.6  
Continuous Drain Current  
VGS at 5 V  
ID  
A
TC = 100 °C  
4.0  
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
18  
0.29  
100  
Linear Derating Factor  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
5.6  
EAR  
4.3  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
43  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
5.5  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 175  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 4.8 mH, Rg = 25 Ω, IAS = 5.6 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 5.6 A, dI/dt ≤ 75 A/μs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91297  
S11-0518-Rev. B, 21-Mar-11  
www.vishay.com  
1
This datasheet is subject to change without notice.  
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Power MOSFET
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