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IRL520

更新时间: 2024-11-19 17:42:31
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 41K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

IRL520 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.04Is Samacsys:N
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):9.2 A
最大漏极电流 (ID):7.9 A最大漏源导通电阻:0.4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:42 W
最大功率耗散 (Abs):60 W最大脉冲漏极电流 (IDM):32 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):75 ns
最大开启时间(吨):42 nsBase Number Matches:1

IRL520 数据手册

  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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