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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRL510S, SiHL510S | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRL510SPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRL510STRL | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRL510STRLPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRL511 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
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| IRL520 | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET |
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| IRL520 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRL520 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRL520-004PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRL520-005 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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