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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | 雪崩能效等级（Eas）： | 160 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRH4150 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-204) |
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| IRH4230 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HORE (TO-204AA/AE) |
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| IRH4230PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRH4250 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRH450 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AE |
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| IRH-5/30-T110N-C | MURATA |
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民用设备,工业设备 |
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| IRH-5/30-T110NF-C | MURATA |
获取价格 |
民用设备,工业设备 |
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| IRH-5/30-T110NVF-C | MURATA |
获取价格 |
民用设备,工业设备 |
|
| IRH-5/30-T110P-C | MURATA |
获取价格 |
民用设备,工业设备 |
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| IRH-5/30-T110PF-C | MURATA |
获取价格 |
民用设备,工业设备 |
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