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IRH4150

更新时间： 2024-01-16 21:17:00
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 277K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-204)

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IRH4150 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：BFM
包装说明：FLANGE MOUNT, O-CBFM-P2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.32其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：34 A最大漏源导通电阻：0.076 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-204AE
JESD-30 代码：O-CBFM-P2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：136 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IRH4150 数据手册

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PD - 90677D  
IRH7150  
100V, N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (T0-204)  
RAD Hard™ HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRH7150  
IRH3150  
IRH4150  
IRH8150  
100K Rads (Si) 0.065Ω  
300K Rads (Si) 0.065Ω  
600K Rads (Si) 0.065Ω  
1000K Rads (Si) 0.065Ω  
34A  
34A  
34A  
34A  
TO-204AE  
International Rectifier’s RADHard HEXFET® technol-  
ogy provides high performance power MOSFETs for  
space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been character-  
ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).  
The combination of low Rdson and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages  
of MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of elec-  
trical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
34  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
21  
136  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
150  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
1.2  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
500  
mJ  
A
AS  
I
34  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
15  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
5.5  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
300 ( 0.063 in.(1.6mm) from case for 10s)  
11.5 (Typical )  
Lead Temperature  
Weight  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
03/21/01  
1234567...12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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