是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.32 | 其他特性: | RADIATION HARDENED |
雪崩能效等级(Eas): | 160 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 14 A | 最大漏源导通电阻: | 0.2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-204AA |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 75 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 56 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 113 ns |
最大开启时间(吨): | 150 ns |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IRH7150 | INFINEON | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-204) |
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IRH7150PBF | INFINEON | 暂无描述 |
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IRH7150SCSPBF | INFINEON | 暂无描述 |
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IRH7230 | INFINEON | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HORE (TO-204AA/AE) |
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IRH7250 | INFINEON | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR |
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IRH7250PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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