5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRH7250PBF
IRH7250PBF PDF预览

IRH7250PBF

更新时间： 2024-02-28 15:33:36
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 257K
描述
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-2

阅读下载

获取价格

IRH7250PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：BFM
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.17其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (ID)：26 A最大漏源导通电阻：0.11 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-204AE
JESD-30 代码：O-MBFM-P2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：104 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：280 ns
最大开启时间（吨）：173 nsBase Number Matches：1

IRH7250PBF 数据手册

 浏览型号IRH7250PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRH7250PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRH7250PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRH7250PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRH7250PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRH7250PBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 90697E  
IRH7250  
200V, N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (T0-204AA/AE)  
RAD Hard™ HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRH7250  
IRH3250  
IRH4250  
IRH8250  
100K Rads (Si)  
300K Rads (Si)  
600K Rads (Si)  
0.11Ω  
0.11Ω  
0.11Ω  
26A  
26A  
26A  
26A  
1000K Rads (Si) 0.11Ω  
TO-204AE  
Features:  
International Rectifier’s RADHard HEXFET® technol-  
ogy provides high performance power MOSFETs for  
space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been character-  
ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).  
The combination of low Rdson and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages  
of MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of elec-  
trical parameters.  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
26  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
16  
104  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
150  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
1.2  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
500  
mJ  
A
AS  
I
26  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
15  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
5.0  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
300 ( 0.063 in.(1.6mm) from case for 10s)  
11.5 (Typical )  
Lead Temperature  
Weight  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
12/04/02  
1234567...12

下载PDF

与IRH7250PBF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IRH7250SCS INFINEON 200V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-204AE package - Standard

获取价格
IRH7250SE INFINEON RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-204AA/AE)

获取价格
IRH7254SE INFINEON Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

获取价格
IRH7254SEPBF INFINEON Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

获取价格
IRH7360 INFINEON Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

获取价格
IRH7360PBF INFINEON Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

获取价格

与IRH7250PBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证