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IRH7250SE

更新时间： 2024-01-24 20:29:28
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 120K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-204AA/AE)

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IRH7250SE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：26 A
最大漏源导通电阻：0.11 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-204AEJESD-30 代码：O-MBFM-P2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：104 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRH7250SE 数据手册

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PD - 91778A  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-204AA/AE)  
IRH7250SE  
200V, N-CHANNEL  
RAD Hard™ HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
IRH7250SE 100K Rads (Si) 0.10Ω  
ID  
26A  
TO-204AE  
International Rectifier’s RADHardTM HEXFET® MOSFET  
technology provides high performance power MOSFETs  
for space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been characterized  
for both Total Dose and Single Event Effects (SEE). The  
combination of low RDS(on) and low gate charge reduces  
the power losses in switching applications such as DC to  
DC converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs such  
as voltage control, fast switching, ease of paralleling and  
temperature stability of electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Ultra Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
26  
16  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
D
GS  
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
104  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
150  
W
W/°C  
V
C
Linear Derating Factor  
1.2  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
500  
mJ  
A
AS  
I
26  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
15  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
5.9  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10 sec.)  
11.5 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
5/17/01  
12345678

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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