5秒后页面跳转
IRGPH30M PDF预览

IRGPH30M

更新时间: 2024-11-01 20:56:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网电动机控制晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 35K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC,

IRGPH30M 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76其他特性:FAST, SHORT CIRCUIT RATED
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):15 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SINGLE
JEDEC-95代码:TO-247ACJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:MOTOR CONTROL晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRGPH30M 数据手册

  

与IRGPH30M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRGPH30MD2 INFINEON

获取价格

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=9.
IRGPH30MPBF INFINEON

获取价格

15A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AC
IRGPH30S INFINEON

获取价格

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=13A)
IRGPH40 INFINEON

获取价格

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=17A)
IRGPH40F INFINEON

获取价格

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=17A)
IRGPH40FD2 INFINEON

获取价格

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=17
IRGPH40K ETC

获取价格

TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 103A I(C) | TO-247AC
IRGPH40KD2 ETC

获取价格

IRGPH40KD2-E INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD
IRGPH40KD2-EPBF INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD