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IRGP50B60PDPBF

更新时间： 2024-10-01 03:42:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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10页 385K
描述
WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGP50B60PDPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：End Of Life
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：75 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：65 ns门极发射器阈值电压最大值：5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：370 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：36 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：190 ns
标称接通时间 (ton)：59 nsBase Number Matches：1

IRGP50B60PDPBF 数据手册

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PD - 95968  
IRGP50B60PDPbF  
SMPS IGBT  
WARP2 SERIES IGBT WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
C
VCES = 600V  
VCE(on) typ. = 2.00V  
@ VGE = 15V IC = 33A  
Applications  
• Telecom and Server SMPS  
• PFC and ZVS SMPS Circuits  
• Uninterruptable Power Supplies  
• ConsumerElectronicsPowerSupplies  
• Lead-Free  
Equivalent MOSFET  
Parameters  
RCE(on) typ. = 61mΩ  
ID (FET equivalent) = 50A  
G
E
Features  
n-channel  
• NPT Technology, Positive Temperature Coefficient  
• Lower VCE(SAT)  
• Lower Parasitic Capacitances  
• Minimal Tail Current  
• HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode  
• Tighter Distribution of Parameters  
• Higher Reliability  
E
C
G
Benefits  
• Parallel Operation for Higher Current Applications  
• Lower Conduction Losses and Switching Losses  
• Higher Switching Frequency up to 150kHz  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
Units  
Collector-to-Emitter Voltage  
V
VCES  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current (Ref. Fig. C.T.4)  
Clamped Inductive Load Current  
Diode Continous Forward Current  
Diode Continous Forward Current  
Maximum Repetitive Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
75  
IC @ TC = 25°C  
42  
IC @ TC = 100°C  
150  
ICM  
150  
A
ILM  
50  
IF @ TC = 25°C  
IF @ TC = 100°C  
IFRM  
25  
100  
±20  
V
VGE  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
370  
W
PD @ TC = 25°C  
PD @ TC = 100°C  
TJ  
150  
-55 to +150  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
°C  
TSTG  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
0.34  
0.64  
–––  
40  
Units  
Rθ (IGBT)  
JC  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)  
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
°C/W  
Rθ (Diode)  
JC  
–––  
Rθ  
0.50  
CS  
Rθ  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
Weight  
–––  
JA  
6.0 (0.21)  
–––  
g (oz)  
12/1/04  
1
www.irf.com  
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