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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.56 | 其他特性： | ULTRA FAST SOFT RECOVERY |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 26 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1210 ns | 标称接通时间 (ton)： | 186 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRGPC30M-E | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 26A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, |
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| IRGPC30M-EPBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRGPC30S | INFINEON |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=18A) |
|
| IRGPC30S-E | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRGPC30S-EPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 34A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, |
|
| IRGPC30U | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=12A) |
|
| IRGPC30UD2 | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, |
|
| IRGPC40 | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A) |
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| IRGPC40F | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A) |
|
| IRGPC40FD1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 |
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