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IRGPC30M-E

更新时间： 2024-01-28 02:26:58

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	116K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 26A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IRGPC30M-E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.65	其他特性：	FAST
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	26 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1190 ns	标称接通时间 (ton)：	61 ns
Base Number Matches：	1

IRGPC30M-E 数据手册

PD - 9.1076

IRGPC30M

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Short Circuit Rated

Fast IGBT

Features

• Short circuit rated - 10µs @ 125°C, V_GE= 15V

• Switching-loss rating includes all "tail" losses

• Optimized for medium operating frequency (1 to

10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency

V_CES= 600V

_CE(sat)≤ 2.9V

curve

@V_GE= 15V, I_C= 16A

n-channel

Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have

higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at

the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power

MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-

current applications.

These new short circuit rated devices are especially suited for motor control

and other applications requiring short circuit withstand capability.

O -247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

Clamped Inductive Load Current

Short Circuit Withstand Time

Gate-to-Emitter Voltage

600

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

I_LM

t_sc

±20

µs

V_GE

E_ARV

Reverse Voltage Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

P_D@ T_C= 25°C

100

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Min.

—

Typ.

—

Max.

1.2

—

Units

°C/W

g (oz)

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, flat, greased surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

—

0.24

—

6 (0.21)

—

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRGPC30S-E	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRGPC30S-EPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 34A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
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