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IRGPC40S-E

更新时间： 2024-10-31 13:08:51

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
6页	221K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IRGPC40S-E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.19	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	1100 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	225	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	160 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	GENERAL PURPOSE SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	2600 ns
标称断开时间 (toff)：	2800 ns	标称接通时间 (ton)：	82 ns
VCEsat-Max：	1.8 V	Base Number Matches：	1

IRGPC40S-E 数据手册

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PD - 9.693A

IRGPC40F

Fast Speed IGBT

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

• Switching-loss rating includes all "tail" losses

• Optimized for medium operating frequency (1 to

10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

V_CES= 600V

_CE(sat)≤ 2.0V

@V_GE= 15V, I_C= 27A

n-channel

Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have

higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at

the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power

MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-

current applications.

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

600

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

200

I_LM

Clamped Inductive Load Current

Gate-to-Emitter Voltage

200

V_GE

±20

E_ARV

Reverse Voltage Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

P_D@ T_C= 25°C

160

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Min.

—

Typ.

—

Max.

0.77

—

Units

°C/W

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, flat, greased surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

—

0.24

—

6 (0.21)

—

g (oz)

Revision 0

C-81

To Order

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRGPC40S-EPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRGPC40U	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRGPC40UD1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IRGPC40UD2	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V,
IRGPC46	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-247AC
IRGPC46PBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC
IRGPC50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 55A I(C) \| TO-247AC
IRGPC50F	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=39A)
IRGPC50FD1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247,
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