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IRGPC20KD2-E

更新时间： 2024-02-24 09:58:08
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
9页 149K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IRGPC20KD2-E 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.39其他特性：SHORT CIRCUIT RATED
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：340 ns标称接通时间 (ton)：87 ns

IRGPC20KD2-E 数据手册

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PD - 9.1109  
IRGPC20KD2  
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR  
WITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE  
Short Circuit Rated  
UltraFastCoPackIGBT  
Features  
C
VCES =600V  
• Short circuit rated -10µs @125°C, VGE = 15V  
• Switching-loss rating includes all "tail" losses  
• HEXFREDTM soft ultrafast diodes  
• Optimized for high operating frequency (over 5kHz)  
See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve  
V
CE(sat) ≤ 3.5V  
G
@VGE = 15V, IC = 6.0A  
E
n-channel  
Description  
Co-packaged IGBTs are a natural extension of International Rectifier's well  
known IGBT line. They provide the convenience of an IGBT and an ultrafast  
recovery diode in one package, resulting in substantial benefits to a host of  
high-voltage, high-current, applications.  
These new short circuit rated devices are especially suited for motor control  
and other applications requiring short circuit withstand capability.  
T
O -247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Foward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
10  
IC @ TC = 100°C  
6.0  
ICM  
20  
A
ILM  
20  
IF @ TC = 100°C  
7.0  
IFM  
20  
tsc  
10  
± 20  
µs  
V
VGE  
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
60  
W
PD @ TC = 100°C  
24  
TJ  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case - IGBT  
Min.  
------  
------  
------  
-----  
Typ.  
------  
------  
0.24  
Max.  
2.1  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
3.5  
°C/W  
------  
40  
-----  
------  
6 (0.21)  
------  
g (oz)  
1234567...9

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与IRGPC20KD2-E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRGPC20K-E INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRGPC20M INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A)
IRGPC20MD2 INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0
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 		暂无描述
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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
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IRGPC30K INFINEON

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IRGPC30KD2 INFINEON

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