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IRGPC20K-E

更新时间： 2024-02-04 23:38:06

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	114K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IRGPC20K-E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	345 ns
标称接通时间 (ton)：	50 ns	Base Number Matches：	1

IRGPC20K-E 数据手册

PD - 9.1129

IRGPC20K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Short Circuit Rated

UltraFastIGBT

Features

• Short circuit rated - 10µs @ 125°C, V_GE= 15V

• Switching-loss rating includes all "tail" losses

• Optimized for high operating frequency (over

V_CES=600V

5kHz)

curve

See Fig. 1 for Current vs. Frequency

V_CE(sat)≤ 3.5V

@V_GE= 15V, I_C= 6.0A

n-channel

Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier

have higher usable current densities than comparable bipolar transistors,

while at the same time having simpler gate-drive requirements of the

familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of

high-voltage, high-current applications.

These new short circuit rated devices are especially suited for motor

control and other applications requiring short circuit withstand capability.

O -247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

Clamped Inductive Load Current

Short Circuit Withstand Time

Gate-to-Emitter Voltage

600

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

6.0

I_CM

I_LM

t_sc

µs

V_GE

±20

E_ARV

Reverse Voltage Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

5.0

P_D@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Min.

—

Typ.

—

Max.

2.1

—

Units

°C/W

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, flat, greased surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

—

0.24

—

6 (0.21)

—

g (oz)

12 3 4 5 6 7 8

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