Datasheet > IRGPC30K-E

IRGPC30K-E

更新时间： 2024-02-11 06:46:20

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	115K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRGPC30K-E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.65	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	23 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	184 ns
标称接通时间 (ton)：	54 ns	Base Number Matches：	1

IRGPC30K-E 数据手册

PD - 9.1075

IRGPC30K

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Short Circuit Rated

UltraFast IGBT

Features

• Short circuit rated - 10µs @ 125°C, V_GE= 15V

• Switching-loss rating includes all "tail" losses

• Optimized for high operating frequency (over

V_CES= 600V

5kHz)

See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

V_CE(sat)≤ 3.8V

@V_GE= 15V, I_C= 14A

n-channel

Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have

higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at

the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power

MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-

current applications.

These new short circuit rated devices are especially suited for motor control

and other applications requiring short circuit withstand capability.

O -247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

Clamped Inductive Load Current

Short Circuit Withstand Time

Gate-to-Emitter Voltage

600

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

I_LM

t_sc

±20

µs

V_GE

E_ARV

Reverse Voltage Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

P_D@ T_C= 25°C

100

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Min.

—

Typ.

—

Max.

1.2

—

Units

°C/W

g (oz)

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, flat, greased surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

—

0.24

—

6 (0.21)

—

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IRGPC30K-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRGPC30M	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRGPC30MD2	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A
IRGPC30MD2-E	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 26A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRGPC30MD2-EPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 26A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRGPC30M-E	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 26A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRGPC30M-EPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRGPC30S	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=18A)
IRGPC30S-E	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRGPC30S-EPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 34A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRGPC30U	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=12A)

与IRGPC30K-E相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

43
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

31
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

68
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

75

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRGPC30K-E

IRGPC30K-E 技术参数

IRGPC30K-E 数据手册

与IRGPC30K-E相关器件

与IRGPC30K-E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRGPC30K-E

IRGPC30K-E 技术参数

IRGPC30K-E 数据手册

与IRGPC30K-E相关器件

与IRGPC30K-E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？