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IRGP8B120KD-E

更新时间： 2024-02-03 09:32:40

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	177K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IRGP8B120KD-E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.26	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：	55 ns	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	225	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	135 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	21 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	237 ns
标称接通时间 (ton)：	45 ns	Base Number Matches：	1

IRGP8B120KD-E 数据手册

PD - 94386

IRGP8B120KD-E

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH

ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

V_CES= 1200V

Features

I_C= 10A, T_C=100°C

t_sc> 10µs, T_J=150°C

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• Low Diode VF.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

V_CE(on)typ. = 2.25V

n-channel

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

TO-247AD

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

1200

I_C@ T_C= 25°C

_C@ T_C= 100°C Continuous Collector Current

I_CM

Pulsed Collector Current

I_LM

Clamped Inductive Load Current

Diode Continuous Forward Current

I_F@ T_C= 25°C

I_F@ T_C= 100°C Diode Continuous Forward Current

I_FM

Diode Maximum Forward Current

Gate-to-Emitter Voltage

V_GE

± 20

P_D@ T_C= 25°C Maximum Power Dissipation

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

135

T_J

Operating Junction and

-55 to +150

°C

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case - IGBT

Junction-to-Case - Diode

Min.

–––

Typ.

–––

Max.

0.92

1.58

–––

Units

R_θ

R_θJC

–––

°C/W

R_θ

Case-to-Sink, flat, greased surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

0.24

R_θ

–––

6 (0.21)

–––

g (oz)

www.irf.com

07/01/02

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRGPC20K	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRGPC20KD2	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGPC20KD2-E	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
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