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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IRGP50B60PD1PBF
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IRGP50B60PD1PBF

更新时间： 2024-10-01 04:23:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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10页 396K
描述
WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGP50B60PD1PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.33
其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：75 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：20 ns
门极发射器阈值电压最大值：5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：390 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：20 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：161 ns标称接通时间 (ton)：39 ns
Base Number Matches：1

IRGP50B60PD1PBF 数据手册

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PD - 95330  
SMPS IGBT  
IRGP50B60PD1PbF  
WARP2 SERIES IGBT WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
C
VCES = 600V  
VCE(on) typ. = 2.00V  
@ VGE = 15V IC = 33A  
Applications  
• Telecom and Server SMPS  
• PFC and ZVS SMPS Circuits  
• Uninterruptable Power Supplies  
• ConsumerElectronicsPowerSupplies  
• Lead-Free  
Equivalent MOSFET  
Parameters  
RCE(on) typ. = 61mΩ  
ID (FET equivalent) = 50A  
G
E
Features  
• NPT Technology, Positive Temperature Coefficient  
• Lower VCE(SAT)  
n-channel  
• Lower Parasitic Capacitances  
• Minimal Tail Current  
• HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode  
• Tighter Distribution of Parameters  
• Higher Reliability  
E
C
G
Benefits  
• Parallel Operation for Higher Current Applications  
• Lower Conduction Losses and Switching Losses  
• Higher Switching Frequency up to 150kHz  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
Units  
V
Collector-to-Emitter Voltage  
VCES  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current (Ref. Fig. C.T.4)  
Clamped Inductive Load Current  
Diode Continous Forward Current  
Diode Continous Forward Current  
Maximum Repetitive Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
75  
IC @ TC = 25°C  
45  
IC @ TC = 100°C  
150  
ICM  
150  
A
ILM  
40  
IF @ TC = 25°C  
IF @ TC = 100°C  
IFRM  
15  
60  
±20  
V
VGE  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
390  
W
PD @ TC = 25°C  
PD @ TC = 100°C  
TJ  
156  
-55 to +150  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
°C  
TSTG  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
0.32  
1.7  
Units  
°C/W  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)  
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
Rθ (IGBT)  
JC  
–––  
RθJC (Diode)  
0.24  
–––  
40  
Rθ  
CS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
Weight  
–––  
RθJA  
6.0 (0.21)  
–––  
g (oz)  
6/2/04  
1234567...10

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IRGP50B60PD1PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRGP50B60PD1 INFINEON

完全替代

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