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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-257AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.12 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-257AB |
| JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFY130MEA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFY130SM | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | CHIP |
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| IRFY1310M-T257 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
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| IRFY140 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
|
| IRFY140C | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
|
| IRFY140C | INFINEON |
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POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
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| IRFY140CM | INFINEON |
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POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=16*A) |
|
| IRFY140CMPBF | INFINEON |
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暂无描述 |
|
| IRFY140CMSCS | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFY140CMSCV | INFINEON |
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100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TXV |
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