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IRFY140CM PDF预览

IRFY140CM

更新时间： 2024-11-19 22:10:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 258K
描述
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=16*A)

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IRFY140CM 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.3雪崩能效等级（Eas）：230 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.077 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-257AA
JESD-30 代码：S-XSFM-P3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IRFY140CM 数据手册

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Index  
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Provisional Data Sheet No. PD 9.1287B  
HEXFET® POWER MOSFET  
IRFY140CM  
N-CHANNEL  
100 Volt, 0.077Ω HEXFET  
Product Summary  
HEXFET technology is the key to International Rectifier’s  
advanced line of power MOSFET transistors. The effi-  
cient geometry design achieves very low on-state re-  
sistance combined with high transconductance.  
Part Number  
BV  
R
I
D
DSS  
DS(on)  
IRFY140CM  
100V  
0.077Ω  
16*A  
HEXFET transistors also feature all of the well-estab-  
lished advantages of MOSFETs, such as voltage con-  
trol, very fast switching, ease of paralleling and electri-  
cal parameter temperature stability. They are well-suited  
for applications such as switching power supplies, mo-  
tor controls, inverters, choppers, audio amplifiers, high  
energy pulse circuits, and virtually any application where  
high reliability is required.  
Features  
n Hermetically Sealed  
n Electrically Isolated  
n Simple Drive Requirements  
n Ease of Paralleling  
n Ceramic Eyelets  
The HEXFET transistor’s totally isolated package elimi-  
nates the need for additional isolating material between  
the device and the heatsink. This improves thermal effi-  
ciency and reduces drain capacitance.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
IRFY140CM  
Units  
I
@ V =10V, T = 25°C  
GS  
Continuous Drain Current  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
16*  
16*  
100  
100  
0.8  
±20  
D
C
I
D
@ V =10V, T = 100°C  
GS  
A
C
I
DM  
@ T = 25°C  
P
W
W/Kꢀ  
V
D
C
V
GS  
E
Single PulseAvalance Energy‚  
Avalance Current  
230  
16*  
mJ  
AS  
I
A
AR  
E
RepetitiveAvalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dtƒ  
Operating Junction  
10  
mJ  
AR  
dv/dt  
5.5  
V/ns  
T
J
-55 to 150  
T
Storage Temperature Range  
LeadTemperature  
°C  
stg  
300 (0.063 in (1.6mm) from  
case for 10 sec)  
°C  
g
Weight  
4.3 (typical)  
*I current limited by pin diameter  
D
To Order  
 
 
123456

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IRFY140CM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFY140CSCV INFINEON

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFY140CSCX INFINEON

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFY140CMPBF INFINEON

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IRFY140CMSCS INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFY140CMSCV INFINEON

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IRFY140CMSCX INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFY140CSCS INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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