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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 230 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 16 A | 最大漏源导通电阻： | 0.077 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-257AA |
| JESD-30 代码： | S-XSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 64 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFY140CMSCX | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY140CSCS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY140CSCV | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFY140CSCX | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY140M | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 18.4A I(D) | TO-220 |
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| IRFY140ME | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRFY140MEA | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRFY140MEB | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFY140MED | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFY140-T257 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
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