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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.27 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.092 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-257AA | JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFY140CM | INFINEON |
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POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=16*A) |
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| IRFY140CMPBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRFY140CMSCS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY140CMSCV | INFINEON |
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100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TXV |
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| IRFY140CMSCX | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY140CSCS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY140CSCV | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY140CSCX | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFY140M | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 18.4A I(D) | TO-220 |
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| IRFY140ME | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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