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IRFP460

更新时间： 2024-11-26 22:51:39

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IXYS		晶体晶体管开关脉冲局域网
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4页	80K
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MegaMOS - Power MOSFET

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IRFP460 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.1
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	280 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFP460 数据手册

MegaMOS^TM

Power MOSFET

IRFP460 V_DSS= 500 V

I_D(cont)= 20 A

R_DS(on)= 0.27Ω

N-ChannelEnhancementMode,HDMOS^TMFamily

Symbol

Test Conditions

MaximumRatings

TO-247 AD

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

D(TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

3.5

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

260

Repetitiveavalancheenergyrated

Fast switching times

T_J

-55 ... +150

150

°C

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

HighCommutatingdv/dtRating

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mountingtorque

1.15/10 Nm/lb.in.

Weight

Applications

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

SwitchingPowerSupplies

Motorcontrols

Symbol

Test Conditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

500

V_GS(th)

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

25 µA

250 µA

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 12 A

0.25

0.27

Ω

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

92825D(5/98)

1 - 4

12 3 4

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IRFP460 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STW15NK50Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL500V-0.30ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PA
STW14NK50Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2P
STW20NK50Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247

与IRFP460相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP460A	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.27ohm, Id=20A)
IRFP460A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP460APBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET ( VDSS=500V , RDS(on)max=0.27ヘ ,
IRFP460AS	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.27ohm, Id=20A)
IRFP460B	VISHAY	获取价格	D Series Power MOSFET
IRFP460B, SiHG460B	VISHAY	获取价格	D Series Power MOSFET
IRFP460BPBF	VISHAY	获取价格	D Series Power MOSFET
IRFP460C	FAIRCHILD	获取价格	500V N-Channel MOSFET
IRFP460HPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP460LC	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=20A)

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