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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFI4229PBF
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IRFI4229PBF

更新时间： 2024-10-28 03:15:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 686K
描述
PDP SWITCH

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IRFI4229PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.11雪崩能效等级（Eas）：110 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：19 A
最大漏极电流 (ID)：19 A最大漏源导通电阻：0.046 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：46 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFI4229PBF 数据手册

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PD - 97201  
IRFI4229PbF  
PDP SWITCH  
Features  
Key Parameters  
l
Advanced Process Technology  
VDS max  
250  
300  
38  
V
V
m:  
A
°C  
l
Key Parameters Optimized for PDP Sustain,  
Energy Recovery and Pass Switch Applications  
Low EPULSE Rating to Reduce Power  
Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery  
and Pass Switch Applications  
VDS (Avalanche) typ.  
RDS(ON) typ. @ 10V  
l
I
RP max @ TC= 100°C  
32  
TJ max  
150  
l
l
Low QG for Fast Response  
High Repetitive Peak Current Capability for  
Reliable Operation  
D
D
S
l
Short Fall & Rise Times for Fast Switching  
150°C Operating Junction Temperature for  
Improved Ruggedness  
l
S
D
G
l
Repetitive Avalanche Capability for Robustness  
G
and Reliability  
TO-220AB Full-Pak  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Description  
This HEXFET® Power MOSFET is specifically designed for Sustain; Energy Recovery & Pass switch  
applicationsinPlasmaDisplayPanels. ThisMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieve  
low on-resistance per silicon area and low EPULSE rating. Additional features of this MOSFET are 150°C  
operating junction temperature and high repetitive peak current capability. These features combine to  
make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device for PDP driving applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
Parameter  
Units  
VGS  
±30  
Gate-to-Source Voltage  
V
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current c  
19  
A
12  
72  
IRP @ TC = 100°C  
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 100°C  
32  
Repetitive Peak Current g  
Power Dissipation  
46  
18  
W
Power Dissipation  
0.37  
Linear Derating Factor  
W/°C  
°C  
TJ  
-40 to + 150  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
300  
10lbxin (1.1Nxm)  
N
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case f  
Junction-to-Ambient f  
Typ.  
Max.  
2.73  
65  
Units  
RθJC  
RθJA  
–––  
–––  
°C/W  
Notes  through ꢀare on page 8  
www.irf.com  
1
04/07/06  
12345678

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