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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 1.14 | 雪崩能效等级（Eas）： | 310 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 43 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 43 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0093 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 47 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 170 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI460 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=21A) |
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| IRFI460D | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-259VAR |
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| IRFI460U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-259VAR |
|
| IRFI48NPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI4905 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFI4905-101 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFI4905-101PBF | INFINEON |
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41A, 55V, 0.02ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRFI4905-102 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFI4905-102PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFI4905-103 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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