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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.77 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 480 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 21 A | 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-259AA |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 84 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI460D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-259VAR |
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| IRFI460U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-259VAR |
|
| IRFI48NPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI4905 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFI4905-101 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFI4905-101PBF | INFINEON |
获取价格 |
41A, 55V, 0.02ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRFI4905-102 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFI4905-102PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFI4905-103 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFI4905-103PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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