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IRFI510G

更新时间： 2024-10-28 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	1032K
描述
Power MOSFET

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IRFI510G 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	最大漏源导通电阻：	0.54 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	27 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFI510G 数据手册

IRFI510G, SiHFI510G

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Isolated Package

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

100

Available

• High Voltage Isolation = 2.5 kV_RMS(t = 60 s;

f = 60 Hz)

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.54

RoHS*

COMPLIANT

• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm

• 175 °C Operating Temperature

• Dynamic dV/dt Rating

Q_g(Max.) (nC)

8.3

2.3

_gs(nC)

_gd(nC)

3.8

• Low Thermal Resistance

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

TO-220 FULLPAK

DESCRIPTION

Third Generation Power MOSFETs from Vishay provides the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and cost

effectiveness.

The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional

insulating hardware in commercial-industrial applications.

The moulding compound used provides a high isolation

capability and a low thermal resistance between the tab and

external heatsink. This isolation is equivalent to using a 100

micron mica barrier with standard TO-220 product. The

FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by

a single screw fixing.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220 FULLPAK

IRFI510GPbF

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFI510G-E3

IRFI510G

SiHFI510G

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Gate-Source Voltage

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

4.5

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

3.2

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.18

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

4.5

E_AR

2.7

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

_C= 25 °C

P_D

4.5

dV/dt

T_J, T_stg

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 175

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 4.4 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 4.5 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.6 A, dI/dt ≤ 75 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 90178

S-Pending-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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IRFI510G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFI510GPBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET

与IRFI510G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFI510G-002PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI510G-003PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI510G-004	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI510G-004PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI510G-005	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI510G-005PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI510G-006	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI510G-006PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI510G-009	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI510G-011	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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