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IRFI510GPBF

更新时间： 2024-10-28 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲局域网
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8页	1032K
描述
Power MOSFET

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IRFI510GPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.31
雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	0.54 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	27 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFI510GPBF 数据手册

IRFI510G, SiHFI510G

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Isolated Package

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

100

Available

• High Voltage Isolation = 2.5 kV_RMS(t = 60 s;

f = 60 Hz)

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.54

RoHS*

COMPLIANT

• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm

• 175 °C Operating Temperature

• Dynamic dV/dt Rating

Q_g(Max.) (nC)

8.3

2.3

_gs(nC)

_gd(nC)

3.8

• Low Thermal Resistance

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

TO-220 FULLPAK

DESCRIPTION

Third Generation Power MOSFETs from Vishay provides the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and cost

effectiveness.

The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional

insulating hardware in commercial-industrial applications.

The moulding compound used provides a high isolation

capability and a low thermal resistance between the tab and

external heatsink. This isolation is equivalent to using a 100

micron mica barrier with standard TO-220 product. The

FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by

a single screw fixing.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220 FULLPAK

IRFI510GPbF

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFI510G-E3

IRFI510G

SiHFI510G

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Gate-Source Voltage

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

4.5

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

3.2

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.18

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

4.5

E_AR

2.7

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

_C= 25 °C

P_D

4.5

dV/dt

T_J, T_stg

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 175

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 4.4 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 4.5 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.6 A, dI/dt ≤ 75 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 90178

S-Pending-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRFI520G	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFI520G	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET
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IRFI520G-004	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI520G-004PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI520G-005	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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