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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI520G-013PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI520G-015PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI520G-017 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI520G-017PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI520G-019PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI520G-024PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI520G-029PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI520GPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI520GPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFI520N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=7.6A) |
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