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IRFI520N-018PBF

更新时间: 2024-10-30 09:20:59
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英飞凌 - INFINEON 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 34K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

IRFI520N-018PBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.6
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):7.2 A
最大漏源导通电阻:0.2 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRFI520N-018PBF 数据手册

  

与IRFI520N-018PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFI520N-031PBF INFINEON

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7.2A, 100V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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9.7A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI530-004PBF INFINEON

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