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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI530-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI530-013PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI530A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRFI530G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI530G | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET |
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| IRFI530G-002PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI530G-003 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI530G-003PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI530G-004PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI530G-005 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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