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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI520NPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFI5210 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFI530 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.7A I(D) | TO-220AB |
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| IRFI530-001 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI530-001PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI530-002PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI530-003PBF | INFINEON |
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9.7A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRFI530-004 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI530-004PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI530-005PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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