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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI510G-029 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI510G-030 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI510G-031 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI510G-031PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI510GPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI510GPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI520A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRFI520ATU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI520G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI520G | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET |
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