5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFC18N50KB | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IRFC1Z0 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| IRFC1Z0R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP |
|
| IRFC210 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFC210R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
|
| IRFC214 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
|
| IRFC214R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | CHIP |
|
| IRFC220 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| IRFC220R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
|
| IRFC224R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | CHIP |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
