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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIE | 包装说明： | UNCASED CHIP, X-XUUC-N |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 16 A | 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | X-XUUC-N |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | UNSPECIFIED | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFC240PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRFC240R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
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| IRFC244R | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IRFC250 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| IRFC250 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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| IRFC250 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFC250PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| IRFC250R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
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| IRFC254 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRFC254PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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