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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFC250 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| IRFC250 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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| IRFC250 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFC250PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| IRFC250R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
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| IRFC254 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRFC254PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRFC254R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | CHIP |
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| IRFC260R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
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| IRFC264 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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