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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIE | 包装说明： | UNCASED CHIP, X-XUUC-N |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.36 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 27.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | X-XUUC-N | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | UNSPECIFIED |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFC250PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| IRFC250R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
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| IRFC254 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRFC254PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IRFC254R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | CHIP |
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| IRFC260R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
|
| IRFC264 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| IRFC264NB | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IRFC264NB | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IRFC264PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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