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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, X-XUUC-N | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.38 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1.25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | X-XUUC-N | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | UNSPECIFIED |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFC310R | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFC320R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | CHIP |
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| IRFC330 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
|
| IRFC330R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | CHIP |
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| IRFC340 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRFC340R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | CHIP |
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| IRFC350 | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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| IRFC350 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.315ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFC350 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| IRFC350R | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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