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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFC264 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| IRFC264NB | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IRFC264NB | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRFC264PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| IRFC2907 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | CHIP |
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| IRFC2907B | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET Die in Wafer Form |
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| IRFC310 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFC310 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRFC310R | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFC320R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | CHIP |
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