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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9510-009PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9510-013PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9510F | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF9510FPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF9510FXPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF9510PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF9510PBF | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRF9510PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9510S | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9510S | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A) |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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